Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18H100-25SR3
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780-4S4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18H100
A2T18H100-25SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18H100-25SR3, 1.81GHz frekansında çalışan dual channel LDMOS RF transistörüdür. 65V nominal gerilim ve 28V test gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 18W çıkış gücü ve 18.1dB kazanç sağlar. 230mA test akımı değeriyle karakterize edilen bu RF FET, NI-780-4S4 paketinde sunulmaktadır. Wireless base station amplifikaları, RF power amplification uygulamaları ve telekomünikasyon sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Yüksek frekans RF uygulamalarında güvenilir performans için tasarlanmış profesyonel bir RF transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 230 mA |
| Frequency | 1.81GHz |
| Gain | 18.1dB |
| Package / Case | NI-780-4S4 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 18W |
| Supplier Device Package | NI-780-4S4 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok