Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T09VD300NR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T09VD300NR
A2T09VD300NR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T09VD300NR1, 920MHz frekansında çalışan dual LDMOS RF transistörüdür. TO-270-6 paketinde sunulan bu bileşen, 48V test voltajında 1.2A akım ile 79W çıkış gücü sağlar. 21.5dB kazanç karakteristiğine sahip olan transistör, 105V nominal voltaj ile RF güç yükseltme uygulamalarında kullanılır. Özellikle GSM, TDMA ve diğer wireless iletişim sistemlerinde power amplifier konfigürasyonlarında yer alır. Son satın alma (Last Time Buy) durumunda olan ürün, endüstriyel ve telekomünikasyon alanlarındaki RF devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.2 A |
| Frequency | 920MHz |
| Gain | 21.5dB |
| Package / Case | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 79W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-6A |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok