Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T09VD250NR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T09VD250NR
A2T09VD250NR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T09VD250NR1, 920MHz frekansında çalışan dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. TO-270-6 paket tipinde sunulan bu komponent, 65W çıkış gücü ve 22.5dB kazanç özellikleriyle RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 48V test gerilimi ve 105V değerlendirilmiş gerilim ile ISM band ve endüstriyel RF uygulamaları için tasarlanmıştır. Yüksek verimlilik gerektiren radyo frekans sistemlerinde, hücresel iletişim cihazlarında ve endüstriyel ısıtma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Frequency | 920MHz |
| Gain | 22.5dB |
| Package / Case | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 65W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-6A |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok