Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I25H060NR1
IC RF LDMOS AMP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I25H060NR
A2I25H060NR1 Hakkında
A2I25H060NR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS transistörlü RF amplifier IC'sidir. 2.59GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 26.1dB kazanç sağlar ve 10.5W çıkış gücü sunmaktadır. TO-270-17 düz ayak paketinde sunulan komponent, 28V test voltajında 26mA akım çekerek yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 65V rated voltaj ile tasarlanan bu RF amplifier, mobil iletişim, radyo frekans sistemleri ve kablosuz haberleşme uygulamalarında yer almaktadır. Son alım durumda olan bu parça, endüstriyel ve telekomünikasyon seviyesi cihazlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 26 mA |
| Frequency | 2.59GHz |
| Gain | 26.1dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 10.5W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-17 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok