Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I25H060GNR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I25H060GNR1
A2I25H060GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2I25H060GNR1, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 2.59GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 10.5W çıkış gücü ve 26.1dB kazanç sağlar. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim ile çalışır. Yüksek frekanslı güç amplifikatörleri, RF uydu haberleşme sistemleri, radyo frekans güçlendirme uygulamaları ve mobil iletişim altyapısında kullanılır. TO-270-17 Gull Wing paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 26 mA |
| Frequency | 2.59GHz |
| Gain | 26.1dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 10.5W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-17 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok