Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I25D025GNR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I25D025GNR
A2I25D025GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2I25D025GNR1, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS transistördür. 2.69GHz frekans aralığında 31.9dB kazanç ile çalışan bu bileşen, 3.2W çıkış gücü sağlar. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim değerleriyle RF amplifikatör, transmitter ve base station uygulamalarında kullanılır. TO-270-17 paketinde gull wing tasarımı ile monte edilir. 59mA test akımı ile karakterize edilen bu LDMOS transistörü, yüksek frekans haberleşme sistemlerinde ve endüstriyel RF uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 59 mA |
| Frequency | 2.69GHz |
| Gain | 31.9dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 3.2W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-17 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok