Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I20H060NR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I20H
A2I20H060NR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2I20H060NR1, RF uygulamaları için tasarlanmış LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) dual transistördür. 1.84 GHz frekansında çalışan bu bileşen, 28.9 dB kazanç sağlar ve 12W çıkış gücü sunar. 28V test gerilimiyle 24mA test akımında karakterize edilmiştir. 65V nominal gerilim sınırlaması ile tasarlanmış bu RF FET, TO-270WB-15 paketinde sunulmaktadır. Uydu haberleşmesi, hücresel ağ altyapısı ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, güvenilir sinyal amplifikasyonu gerektiren sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 24 mA |
| Frequency | 1.84GHz |
| Gain | 28.9dB |
| Package / Case | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 12W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-15 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok