Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I20H060GNR1
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I20H060GNR1
A2I20H060GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2I20H060GNR1, çift LDMOS (Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. 1.84 GHz frekans aralığında çalışan bu RF bileşeni, 28 V test geriliminde 24 mA akım ve 12 W çıkış gücü sağlar. 28.9 dB kazanç özellikleriyle, yüksek frekanslı RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-270-15 Gull Wing paket yapısında sunulan komponentin maksimum çalışma gerilimi 65 V'dir. Mobil iletişim sistemleri, broadcast vericileri ve endüstriyel RF haberleşme ekipmanlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 24 mA |
| Frequency | 1.84GHz |
| Gain | 28.9dB |
| Package / Case | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 12W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-15 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok