Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I08H040NR1
IC RF LDMOS AMP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I08H040NR
A2I08H040NR1 Hakkında
NXP tarafından üretilen A2I08H040NR1, 920 MHz frekansında çalışan dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF amplifier entegre devresidir. 28V test voltajında 25mA akım çekerek 9W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 30.7dB kazanç ile tasarlanmıştır. 65V nominal voltaj derecesi ile endüstriyel ve mobil haberleşme uygulamalarında RF sinyal amplifikasyonu için kullanılır. TO-270-15 flat lead paketinde sunulan komponent, GSM/DCS bandında kablosuz iletişim sistemleri, temel istasyon amplifikatörleri ve RF güç modülleri gibi uygulamalara uygundur. Günümüzde obsolete durumda olsa da, mevcut sistemlerin bakım ve tamirat çalışmalarında referans değeri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 25 mA |
| Frequency | 920MHz |
| Gain | 30.7dB |
| Package / Case | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 9W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-15 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok