Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2I08H040GNR1
IC RF LDMOS AMP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2I08H040GNR
A2I08H040GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2I08H040GNR1, 920MHz frekansında çalışan dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF amplifier entegre devresiydir. TO-270-15 gull wing paketinde sunulan bu bileşen, 28V test gerilimi altında 9W çıkış gücü sağlamaktadır. 30.7dB kazanç değeri ile RF uygulamalarında sinyal amplifikasyonu gerektiren sistemlerde kullanılır. 65V nominal çalışma gerilimi ve 25mA test akımı özelliğine sahip olan cihaz, GSM/CDMA bandında çalışan RF güç amplifikaslı uygulamaları, hücresel iletişim sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer almaktadır. Bileşen üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 25 mA |
| Frequency | 920MHz |
| Gain | 30.7dB |
| Package / Case | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 9W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-15 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok