Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2G35S200-01SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-400S-2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2G35S200-01SR3
A2G35S200-01SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2G35S200-01SR3, AIRFAST RF Power GaN HEMT transistörüdür. GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bu RF güç transistörü, 3.4-3.6 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 125V nominal voltaj ile 48V test voltajında 291 mA akım sağlayabilen bu bileşen, 180W çıkış gücü ve 16.1dB kazanç sunmaktadır. NI-400S-2S paketinde sunulan transistör, kablosuz haberleşme, radar ve yüksek frekans uygulamalarında güç yükseltme aşamasında kullanılır. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve ısıl özellikler sunan bu transistör, RF sistemleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 291 mA |
| Frequency | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Gain | 16.1dB |
| Package / Case | NI-400S-2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 180W |
| Supplier Device Package | NI-400S-2S |
| Transistor Type | GaN HEMT |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok