Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2G35S160-01SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-400S-2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2G35S160
A2G35S160-01SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2G35S160-01SR3, AIRFAST RF Power GaN teknolojisine dayalı bir LDMOS transistördür. 3.4GHz ile 3.6GHz frekans bandında çalışan bu RF güç transistörü, 51dBm çıkış gücü ve 15.7dB kazanç sağlar. 48V test voltajında 190mA akım çıkışına sahip olup, 125V nominal voltaj rating'ine sahiptir. NI-400S-2S paketlemesi ile sunulan bu komponent, mobil iletişim altyapısı, radar sistemleri ve yüksek frekans güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 190 mA |
| Frequency | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Gain | 15.7dB |
| Package / Case | NI-400S-2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 51dBm |
| Supplier Device Package | NI-400S-2S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok