Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2G26H281-04SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2G26H281
A2G26H281-04SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2G26H281-04SR3, AIRFAST RF Power GaN Transistor serisi içinde yer alan bir LDMOS transistördür. 50W çıkış gücüne sahip bu bileşen, 2.496GHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 14.2dB kazanç ve 48V test voltajında 150mA test akımı ile karakterize edilen bu transistör, 125V nominal voltaj derecesine sahiptir. NI-780S-4L paket tipinde sunulan komponent, özellikle RF güç amplifikasiyon uygulamalarında, wireless iletişim sistemlerinde ve 2.5GHz bant çalışmalarına dayalı endüstriyel cihazlarda kullanılmaktadır. Yüksek frekans RF uygulamaları için optimize edilmiş tasarımı sayesinde verimli güç dağılımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Frequency | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 14.2dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 50W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok