Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2G22S251-01SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-400S-2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2G22S251-01SR3
A2G22S251-01SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2G22S251-01SR3, AIRFAST RF Power GAN Transistor seriesinin bir üyesidir. LDMOS tabanlı bu RF güç transistörü, 1.805GHz ile 2.2GHz frekans aralığında çalışır ve 52dBm çıkış gücü sağlar. 48V test voltajında 200mA akım sınırlamasına sahip olup, 125V nominal gerilime kadar tasarlanmıştır. 17.7dB kazanç değeri ile mobil haberleşme, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılan yüksek frekanslı güç amplifikasyonu için uygundur. NI-400S-2S paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 17.7dB |
| Package / Case | NI-400S-2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 52dBm |
| Supplier Device Package | NI-400S-2S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok