IGBT Transistörler - Modüller
A1P50S65M2-F
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- A1P50S65M2
A1P50S65M2-F Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen A1P50S65M2-F, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 650V kolektör-emitör diyot gerilimi ile maksimum 50A akım kapasitesine sahip olan bu komponent, 208W güç dağıtımı sağlayabilir. Trench Field Stop IGBT teknolojisi kullanılarak düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama özellikleri elde edilmiştir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.3V'tur. ACEPACK™ 1 paket standardında sunulan modül, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve entegre NTC thermistor sensörü ile sıcaklık kontrolü sağlar. Chassi montajı için tasarlanmış bu komponent, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.15 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208 W |
| Supplier Device Package | ACEPACK™ 1 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok