Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
6A10GHB0G
DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 6A10GHB0G
6A10GHB0G Hakkında
6A10GHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 100V 6A doğrultucu diyottur. Standart recovery karakteristiğine sahip bu diyot, AC akımını DC akıma dönüştürmek için kullanılan genel amaçlı bir bileşendir. R-6 axial pakette sunulan bileşen, Through Hole montaj teknolojisine uygun tasarlanmıştır. 1.1V forward voltage ve 60pF kapasitans değerleri ile devreler de etkili doğrultma işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, adaptörler ve doğrultucu devrelerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok