Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

50C02MH-TL-E

TRANS NPN 50V 500MA MCPH3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
50C02MH

50C02MH-TL-E Hakkında

50C02MH-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 600mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 100mV doyum gerilimi ile düşük kayıp uygulamalarda verimli çalışır. Surface mount 3-MCPH paket tipinde sunulan bu transistör, RF amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition 500MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 600 mW
Supplier Device Package 3-MCPH
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok