Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
4MN10CH-TL-E
BIP NPN 0.1A 200V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-96
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 4MN10CH
4MN10CH-TL-E Hakkında
4MN10CH-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. RF uygulamaları için tasarlanmış bu transistör 200V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. 400MHz transition frequency'ye sahip olması yüksek frekans uygulamalarında kullanılmasını sağlar. 600mW maksimum güç yönetimi kapasitesiyle RF amplifikatörler, VHF/UHF uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve haberleşme ekipmanlarında yer bulur. Surface mount SC-96 paketinde sunulan bu bileşen, kompakt tasarım gerektiren modern elektronik uygulamalara uygundur. Düşük gürültü ve sabit DC akım kazancı (hFE) karakteristiği sayesinde hassas RF devrelerine entegre edilebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 10V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-96 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 600mW |
| Supplier Device Package | 3-CPH |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok