Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

3N190 TO-78 7L

MONOLITHIC DUAL, N-CHANNEL ENHAN

Paket/Kılıf
TO-78-7 Metal Can
Seri / Aile Numarası
3N190

3N190 TO-78 7L Hakkında

3N190, Linear Integrated Systems Inc. tarafından üretilen monolitik dual P-Channel MOSFET transistördür. TO-78-7 metal kasa paketi ile sunulan bu FET, 40V Drain-Source voltajı ve 50mA sürekli dren akımı özellikleri ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 300Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sağlar. -55°C ile +135°C arasında çalışabilen bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilir. 525mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Through-hole montaj tipi geleneksel PCB tasarımlarında kullanım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 135°C (TJ)
Package / Case TO-78-7 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 525mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300Ohm @ 100µA, 20V
Supplier Device Package TO-78-7
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok