Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
3N166 TO-99 6L
MONOLITHIC DUAL, P-CHANNEL ENHAN
- Üretici
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-99-6 Metal Can
- Seri / Aile Numarası
- 3N166
3N166 TO-99 6L Hakkında
3N166, Linear Integrated Systems tarafından üretilen monolitik dual P-Channel enhancement mode MOSFET'tir. TO-99-6 metal kap paketi içinde iki adet P-channel transistör barındırır. 30V drain-source geriliminde 50mA sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 300Ω maksimum Rds(on) değeri ile 100µA drenaj akımında 20V Vgs'de çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Maksimum güç tüketimi 300mW'tır. Anahtarlama uygulamaları, ses devreler, düşük güçlü motor kontrolü ve genel amaçlı analog uygulamalarda kullanılabilir. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-99-6 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300Ohm @ 100µA, 20V |
| Supplier Device Package | TO-99-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok