Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
3N165 TO-99 6L
MONOLITHIC DUAL, P-CHANNEL ENHAN
- Üretici
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-99-6 Metal Can
- Seri / Aile Numarası
- 3N165
3N165 TO-99 6L Hakkında
3N165, Linear Integrated Systems tarafından üretilen monolitik dual P-channel enhancement mode MOSFET'tir. TO-99-6 metal kasa içinde paketlenmiş bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 40V drain-source voltaj değeri ve 50mA sürekli dren akımı ile düşük güç tüketimli devreler için uygundur. 300Ω maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Analog sinyal işleme, anahtar kontrol devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 300mW maksimum güç dissipasyonu sınırlaması dikkate alınarak tasarlanmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-99-6 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300Ohm @ 100µA, 20V |
| Supplier Device Package | TO-99-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok