Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
3MN03SF-TL-E
BIP NPN 30MA 20V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 3MN03SF
3MN03SF-TL-E Hakkında
3MN03SF-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. 30mA maksimum collector akımı ve 20V collector-emitter breakdown voltajı ile RF uygulamaları için tasarlanmıştır. 320MHz transition frequency ve 3dB tipik noise figure @ 100MHz özelliği ile yüksek frekanslı sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük güçlü RF amplifikatörleri, mixer ve switch uygulamalarında tercih edilir. 60 (@1mA, 6V) DC current gain değeri ile kontrollü amplifikasyon sağlar. Surface mount 3-SMD, Flat Lead paket tipinde sunulan komponent, kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Halihazırda Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | 3-SSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok