Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2STR1160
TRANS NPN 60V 1A SOT-23
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- 2STR1160
2STR1160 Hakkında
2STR1160, STMicroelectronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3 (SOT-23-3) paket tipi ile sunulmaktadır. Maksimum 60V Vce breakdown voltajı ve 1A collector akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 500mW güç tüketim sınırlaması ile çalışmaktadır. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 430mV saturation voltajı ile, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. Surface mount tipinde tasarlanmış olması, kompakt elektronik devrelerde ve PCB'lerde entegrasyon için uygun hale getirmektedir. İçin ortam sıcaklığında işletim yapabilen bu transistör, eski ürün statüsüne rağmen referans tasarımlar ve miras sistemlerde yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 430mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok