Transistörler - JFET

2SK3666-4-TB-E

JFET N-CH 30V 0.2W CP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SK3666

2SK3666-4-TB-E Hakkında

2SK3666-4-TB-E, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 200mW güç disipasyonu ile düşük seviyeli sinyal işleme ve switching uygulamalarında kullanılır. Maximum 10mA drain akımı ve 200 Ohm RDS(On) direnci ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 4pF input kapasitansı ve 150°C işletme sıcaklığı ile kompakt TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulur. Odyoloji cihazları, ölçüm ekipmanları ve hafif sinyal amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Bileşen obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5 mA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max 10 mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistance - RDS(On) 200 Ohms
Supplier Device Package SMCP
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 180 mV @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok