Transistörler - JFET
2SK3666-3-TB-E
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3666
2SK3666-3-TB-E Hakkında
2SK3666-3-TB-E, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistörüdür. 10 mA maksimum drain akımı ve 30 V drain-source gerilimi ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200 mW güç yeteneği ve 200 Ohm RDS(On) direnci ile ses işleme, ölçüm cihazları ve düşük güç kontrol devrelerinde tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Düşük giriş kapasitansi (4pF @ 10V) sayesinde yüksek frekans uygulamalarına da uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2 mA @ 10 V |
| Current Drain (Id) - Max | 10 mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistance - RDS(On) | 200 Ohms |
| Supplier Device Package | SMCP |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180 mV @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok