Transistörler - JFET
2SK1070PIETR-E
JFET N-CH MPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- 2SK1070
2SK1070PIETR-E Hakkında
2SK1070PIETR-E, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, 50 mA maksimum drain akımı ve 150 mW güç kapasitesi ile çalışır. VGS=0V koşulunda 12 mA Idss değerine sahiptir. 9 pF input kapasitansi ve 22 V breakdown voltajı ile düşük gürültülü sinyal uygulamaları, anahtarlama devreleri ve amplifikatör tasarımlarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, küçük form faktörü nedeniyle yoğun yerleşimli elektronik devrelere entegre edilebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12 mA @ 5 V |
| Current Drain (Id) - Max | 50 mA |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | 3-MPAK |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 22 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 0 V @ 10 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok