Transistörler - JFET
2SK1070PIDTL-E
JFET N-CH MPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- 2SK1070
2SK1070PIDTL-E Hakkında
2SK1070PIDTL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, 50 mA maksimum drain akımı ve 12 mA Idss değeri ile çalışır. 22 V Gate-Source breakdown voltajı ve 150 mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle tasarlanmıştır. 9 pF input capacitance ile düşük kapasite uygulamalarında tercih edilir. Analog switching, impedans dönüştürme ve düşük gürültü preamplifier uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek empedans giriş özellikleri sayesinde sinyallenme devrelerinde ve amplifikatör uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. Üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12 mA @ 5 V |
| Current Drain (Id) - Max | 50 mA |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | 3-MPAK |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 22 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 0 V @ 10 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok