Transistörler - JFET

2SK1070PICTL-E

JFET N-CH MPAK

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SK1070

2SK1070PICTL-E Hakkında

2SK1070PICTL-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-kanal JFET transistörüdür. TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 50mA maksimum drain akımı ve 150mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. 12mA Idss değeri (Vds=5V, Vgs=0) ile karakterize edilen bu bileşen, 22V gate-kaynak arasında breakdown voltajına ve 0V cutoff voltajına (10µA'de) sahiptir. 9pF giriş kapasitansi değeri ile düşük sinyal uygulamalarında tercih edilmektedir. -150°C'ye kadar çalışan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan genel amaçlı JFET türüdür. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12 mA @ 5 V
Current Drain (Id) - Max 50 mA
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package 3-MPAK
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 22 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 0 V @ 10 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok