Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD667-D-AP
TRANSISTOR TO-92
2SD667-D-AP Hakkında
2SD667-D-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımına ve 900mW güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 150mA collector akımında ve 5V Vce'de çalışabilen bileşen, 140MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Maksimum 80V collector-emitter breakdown voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama spektrumunda yer alabilir. Through hole montajı ile eski tasarımlar ve prototipleme çalışmalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 150mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok