Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD2695,T6F(M
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
2SD2695,T6F(M Hakkında
2SD2695,T6F(M), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 60V bozulma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 100MHz geçiş frekansı ve minimum 2000 DC akım kazancı (1A, 2V'de) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 900mW maksimum güç derecelemesi ile güç tüketimi sınırlı olan sistemlerde tercih edilir. Düşük ICBO sızıntı akımı (10µA) ve 1.5V doyum gerilimi ile enerji verimliliği sağlanır. Endüstriyel kontrol, sinyal amplifikasyonu ve diskret transistör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok