Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD2257(Q,M)
TRANS NPN 3A 100V TO220-3
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- 2SD2257
2SD2257(Q,M) Hakkında
2SD2257(Q,M), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç derecelendirmesi ile motor kontrolü, anahtar devreleri, amplifikasyon ve akım yönetimi uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 2A/2V koşullarında 2000 minimum değerdedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Düşük ICBO (10µA) ve kontrollü doyum voltajı (1.5V @ 1.5A) karakteristikleriyle verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220NIS |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.5mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok