Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD2206(T6CNO,A,F)
TRANS NPN 2A 100V TO226-3
2SD2206(T6CNO,A,F) Hakkında
2SD2206, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 2A maksimum collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Yüksek DC current gain (hFE min: 2000 @ 1A, 2V) nedeniyle düşük base akımı ile kontrol edilebilir. Ses amplifikasyonu, güç amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 1.5V maksimum saturation voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok