Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD2206A(T6SEP,F,M
TRANS NPN 2A 120V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SD2206A
2SD2206A(T6SEP,F,M Hakkında
2SD2206A, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kollektör akımı ve 120V çalışma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç kapasitesi ve 2000 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri sayesinde anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Doyma voltajı 1.5V'da oldukça düşük olup, verimli anahtarlama işlemi sağlar. Ev aletleri, endüstriyel kontrol devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu bileşen, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Through Hole montaj tipi ile PCB tasarımında kolay uygulanabilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok