Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD2096T114E
TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- HRT
- Seri / Aile Numarası
- 2SD2096
2SD2096T114E Hakkında
2SD2096T114E, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V kollektör-emitter gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. HRT paket içerisinde sunulan bu transistör, through-hole montaj yöntemi ile PCB'lere entegre edilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE), 8MHz geçiş frekansı ve 1.8W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kontrol, anahtarlama ve sinyal işleme görevlerinde yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı, sıcak ortam uygulamalarında dayanıklılık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 8MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | HRT |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | HRT |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok