Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1963T100R
TRANS NPN 20V 3A SOT-89
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SD1963
2SD1963T100R Hakkında
2SD1963T100R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-89 (TO-243AA) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 20V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ve 2W maksimum güç yeteneği sayesinde orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 500mA/2V koşullarında minimum 180 seviyesindedir. 450mV saturation gerilimi ve 500nA collector cutoff akımı ile düşük güç tüketimli devre tasarımlarında tercih edilir. Genel amaçlı anahtarlama, driver devreleri ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 150mA, 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok