Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1913S

NPN SILICON TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SD1913

2SD1913S Hakkında

2SD1913S, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN silikon bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 60V yıkılma gerilimine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 2W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 140 minimum DC akım kazancı (hFE) ile stabil çalışma sağlar. Through-hole montaj tipi nedeniyle konvansiyonel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Not: Bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-220ML
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok