Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1816T-TL-H
TRANS NPN 100V 4A TP-FA
2SD1816T-TL-H Hakkında
2SD1816T-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile karakterizedir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 180MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 500mA, 5V) ile, genel amaçlı anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük sinyal kuvvetlendirme devreleri için uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında dağıtım, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok