Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1816T-H
TRANS NPN 100V 4A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SD1816
2SD1816T-H Hakkında
2SD1816T-H, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 100V kolektör-emiter gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol, motor sürme, güç yönetimi ve ses amplifikasyonu gibi uygulamalarda yer alabilir. 150°C çalışma sıcaklığı, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Şu anda piyasada bulunmayan (obsolete) bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok