Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1816T-E
TRANS NPN 100V 4A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SD1816
2SD1816T-E Hakkında
2SD1816T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrolü, motor sürücüleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 400mV SAT voltajı ile verimli çalışma sağlar. 150°C işletme sıcaklığına dayanıklı tasarımı, çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok