Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1816S-H

TRANS NPN 100V 4A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SD1816S

2SD1816S-H Hakkında

2SD1816S-H, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistöründür. 100V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile audio amplifikatörleri, güç yönetimi entegresi sürücüleri ve indüktif yük kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. 140 minimum DC akım kazancı (hFE) ile hassas kontrol gerektiren devrelerde güvenilir performans sağlar. TO-251AA short leads paketlemesi kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok