Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1816S-E

TRANS NPN 100V 4A TP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SD1816S

2SD1816S-E Hakkında

2SD1816S-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi, 4A collector akımı ve 1W güç disipasyonu kapasitesiyle orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 180MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) kılıfıyla yüksek yoğunluklu PCB montajlarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Cihaz şu anda Obsolete (üretilmiyor) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok