Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1815T-TL-E

TRANS NPN 100V 3A TPFA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SD1815

2SD1815T-TL-E Hakkında

2SD1815T-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışmaya uygundur. 180MHz transition frequency'si ile RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güçlü amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 70 (500mA, 5V'da) olup, 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir. Kolektör kesme akımı maksimum 1µA'dır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP-FA
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok