Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1815S-E

TRANS NPN 100V 3A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SD1815S

2SD1815S-E Hakkında

2SD1815S-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 1W güç kapasitesine ve 180MHz transition frequency'ye sahiptir. 150°C çalışma sıcaklığında kullanılabilen bileşen, 70 minimum DC akım kazancı (hFE) değerine sahiptir. Orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve ses frekansı amplifikatörlerinde kullanılmaya uygun bir komponenttir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok