Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1805F-E

TRANS NPN 20V 5A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SD1805F

2SD1805F-E Hakkında

2SD1805F-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 20V kolektör-emitör gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paket türünde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan komponent, 120MHz transition frequency ile orta hızlı sinyalleri işleyebilir. 160 minimum DC akım kazancı (hFE), 500mV doyma gerilimi ve 100nA maksimum kapatılma akımı özellikleri taşır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar güvenilir performans sunar. Düşük sinyal seviyesi anahtarlama, güç amplifikasyonu ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Şu an üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 60mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok