Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1802T-TL-E

TRANS NPN 50V 3A TPFA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SD1802T

2SD1802T-TL-E Hakkında

2SD1802T-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 3A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150MHz transition frequency özellikleriyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir performans sağlar. 500mV maksimum VCE saturation voltajı sayesinde düşük kayıp anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve RF uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP-FA
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok