Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1802T-E

TRANS NPN 50V 5A TP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SD1802

2SD1802T-E Hakkında

2SD1802T-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 50V kolektör-emitter kesintisi voltajı ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Kolektör-emitter doyum voltajı 0.5V olup, 0.5V doyum voltajında 100mA base akımı ve 2A kolektör akımında ölçülmüştür. Düşük ICBO (1µA) ile minimal kaçak akımı gösterir. Through-hole montaj türü ile klasik PCB tasarımlarında kullanılır. Bileşenin Obsolete durumunda olması nedeniyle yeni tasarımlar için güncel alternatifleri değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 0.5V @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok