Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1733TLP

TRANS NPN 80V 1A SOT-428

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SD1733

2SD1733TLP Hakkında

2SD1733TLP, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 10W güç dissipasyonu kapasitesi ve 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 120 minimum DC current gain (hFE) ile güvenilir amplifikasyon sağlar. 400mV SAT gerilimi ve 1µA maksimum cutoff akımı özellikleri sayesinde, audio amplifikatörler, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 10 W
Supplier Device Package CPT3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok