Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1624T-TD-E
TRANS NPN 50V 3A PCP
2SD1624T-TD-E Hakkında
2SD1624T-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı, 3A maksimum collector akımı ve 150MHz transition frequency özelliğiyle, genel amaçlı DC amplifikasyon, AC sinyal işleme ve hızlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 500mW güç dissipasyonu kapasitesi, 200 minimum hFE gain değeri ve 500mV saturation voltajı ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Surface mount PCP pakajında sunulması, modern elektronik tasarımlar için kompakt çözüm sağlar. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, DC-DC dönüştürücüler ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok