Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD12670P
TRANS NPN 60V 4A TO-220F
- Üretici
- Panasonic
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- 2SD12670P
2SD12670P Hakkında
2SD12670P, Panasonic tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ile kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. 20MHz transition frequency ile audio ve düşük frekanslı RF uygulamalarına uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilme özelliği ile endüstriyel uygulamalarda ve güç kontrol sistemlerinde yer alır. Doğrusal ve açık-kapalı (saturation) modlarında kullanılabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları ve darbe modülasyonlu devreler gibi uygulamalara elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 20MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220F-A1 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok