Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD12660P
TRANS NPN 60V 3A TO-220F
- Üretici
- Panasonic
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- 2SD12660
2SD12660P Hakkında
2SD12660P, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 Full Pack koruma ile sunulan bu transistör, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 30MHz transition frekansı ile düşük frekans sinyal işleme uygulamalarında çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 1A, 4V koşullarında minimum 120'dir. Vce saturation gerilimi 1.2V (375mA base akımı, 3A collector akımı durumunda) olup, anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Bileşen obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlarda veri tabanından alternatif seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-220F-A1 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok